纳米工艺的产线。

十纳米工艺产线，其实也是一个过渡工艺节点，目前智云集团里的诸多芯片设计里，只有手机芯片以及ai芯片，包括车规级算力芯片，电脑上的pc芯片才准备采用这个十纳米工艺节点。

其他芯片类型的话，暂时暂时没有这个规划。

因为十纳米工艺虽然是新工艺，做出来的芯片性能也更好，但是成本也更高，芯片的设计费用更高，流片费用也更高，然后制造成本也高，除了一些高端产品用得起外，常规产品根本用不起这种级别的工艺。

同时很多芯片类型其实也不需要十纳米工艺，有个十四纳米工艺（12纳米）也就差不多了，比如一大堆各种智能终端芯片，电脑芯片，中低端手机芯片，网络设备，车规级芯片，工业芯片等等。

至少智云集团内部的很多芯片种类，都是基于14/12纳米工艺节点来设计的

考虑到产能需求的问题，十纳米工艺节点里，智云微电子只规划了五万片的产能，只是用来满足s系列芯片，也就是明年s803芯片的产能需求。

看完智云微电子的情况，徐申学对后续也是有了一些把握。

今年先推出12纳米工艺的芯片，搭载在s16手机上。

明面的s17手机，还有pc产品则是才使用10纳米工艺。

后年的s18手机，则是采用7纳米工艺。

一年一个台阶，持续进步，提升s系列手机的性能，并维持s系列手机的性能优势。

至于大后年的话，估计还是继续使用7纳米工艺……因为智云微电子这边的等效5纳米工艺，至今都还没有什么太好的办法。

现有的hduv-600浸润式光刻机搞个七纳米就已经到了极限，可搞不了等效五纳米工艺了……这款光刻机，其实用来生产十纳米或十四/十二纳米工艺节点才是最适合的。

而等效五纳米的话，如果使用duv浸润式光刻机来生产，至少得使用八重曝光，对套刻精度的要求是非常高的，套刻精度最少也得一点五纳米。

而正在研发当中，预计要两年后才能够出货的hduv-700光刻机，其套刻精度也才两纳米而已，根本达不到技术要求。

至于一点五纳米的套刻精度，有这技术直接搞euv光刻机就完事了，费那劲搞什么duv浸润式光刻机啊。

毕竟海湾科技里正在研发当中的第一代euv光刻机，规划的套刻精度也才两纳米；处于项目早期阶段，不知道什么时候才能完善的第二代euv光刻机才一点五纳米的套刻

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