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在建设第四代同步辐射装置的同时，SRF-FEL-EUV光刻厂的项目的研究依旧在继续。

在现有的同步辐射装置上进行是研究。

当第四代同步辐射装置建成，3-5年的时间，那SRF-FEL-EUV光刻厂技术也很成熟。

基本可以直接投入到7nm、5nm芯片生产制造了。

如今最先进的是第三代同步辐射装置。

就算光刻厂项目的技术验证成功，要生产7nm以下芯片也很难，依旧需要第四代同步辐射装置。

“预计投资250亿左右……”

整个投资不算高！

这还是去掉光刻机的采购。

第四代同步福辐射装置落地，有SRF-FEL-EUV光刻厂，自然研究不需要光刻机了。

即便如此，晶圆厂各方面的投资依旧非常高。

晶圆厂对环境要求极高！

其核心就是稳定！稳定！还是稳定！

一枚指甲盖大的芯片上，集成几十亿，上百亿的晶体管。

整个晶圆厂的稳定要求无比高！

这是纳米级别的加工。

仅仅是建设晶圆厂，打地基，打基础桩……就需要数千根基础桩。

保证整个晶圆厂核心，不会有任何的一丝一毫的震动。

否则，就是一大批芯片直接报废。

其次就是 “无尘”。

纳米尺度上的工作，即使是最的物质微粒，也会对脆弱的电路造成破坏。

芯片制造的无尘车间空气清洁度要达到ISo 1级。

具体就是每立方米空气当中大于0.1微米的微粒数量不得大于10个。

其次，还有对水的需求很大，而且需要净化后的超净水！

生产一个2克重的计算机芯片，大概需要32公斤水资源，一个8寸的晶圆厂，一个时就需要大概2吨水。

一个大型晶圆厂，一要上万吨，甚至几万吨水！

是一个镇一的用水量！

也就是沅江市有足够的水资源，千湖滩水资源丰富，支撑大型晶圆厂落户完全没问题！

10nm-20nm的芯片制程工艺，仅仅是‘清洗’这个环节，就有200多个步骤。

这种清洗，使用的水也不是普通的水，而是：超净水！

这种水电阻率无限接近18.24兆欧厘米理论极限的超净水！

这种超纯水几乎不导电、不含任何金属离子、接近绝对纯度，可达12个9：99.%

集成电路的集成度

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